2SJ279 is a P-channel MOSFET manufactured by Hitachi. It is a surface mount device in a TO-252/DPAK package. Description: The 2SJ279 is a P-channel MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20V and a maximum drain current of -2.2A. It has a low on-resistance of 0.06Ω and a gate-source voltage of -4.5V to -20V. Features: Low on-resistance Maximum drain-source voltage of -20V Maximum drain current of -2.2A Gate-source voltage of -4.5V to -20V Surface mount device in a TO-252/DPAK package Applications: The 2SJ279 is suitable for applications such as DC-DC converters, power management, and motor control. It is also suitable for use in automotive applications.(For reference only) Ссылка на продукт:https://www.utsource.net/ru/itm/p/1750070.html Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент продукции. Для нас большая честь обслуживать более 300 тысяч клиентов по всему миру более 19 лет.