Description: The 2SB1212-P is a PNP epitaxial planar silicon transistor manufactured by ROHM Semiconductor.
Features:
- Collector-Emitter Voltage: -60V
- * Collector-Base Voltage: -60V
- * Emitter-Base Voltage: -5V
- * Collector Current: -0.2A
- * Power Dissipation: 0.4W
- Applications: The 2SB1212-P is suitable for use in applications such as audio amplifiers, switching circuits, and general purpose amplifiers.(For reference only)
- Ссылка на продукт：https://www.utsource.net/ru/itm/p/9510843.html
- Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент продукции. Для нас большая честь обслуживать более 300 тысяч клиентов по всему миру более 19 лет. В Utsource Live Streaming мы общаемся с вами по видео и предоставляем вам следующие быстрые услуги:
- 1. Получите и обработайте ваш запрос на микросхемы, модули, радиочастотные транзисторы и т. д.
- 2. Решите проблемы с вашим заказом
- 3. Ответьте на ваши вопросы о продуктах.
- 4. Решите свои проблемы после продажи. Любые другие вопросы или проблемы, пожалуйста, сообщите нам. Для дальнейшего общения, пожалуйста, свяжитесь с нами по этим каналам:
Адрес электронной почты: sales@utsource.com