Производители флеш-памяти продолжают свою работу по повышению плотности чипов памяти для твердотельных накопителей, что позволит повысить их ёмкость при сохранении текущих размеров — японская компания Kioxia рассказала о своих весьма амбициозных планах в данной сфере, сообщает сайт TechSpot.
Источник фото: Kioxia
На Международном семинаре по технологиям памяти, проходящем в Сеуле, компания Kioxia заявила, что намерена достигнуть ошеломляющего показателя в 1000 слоёв при производстве флеш-памяти 3D NAND, что позволит добиться плотности записи 100 Гбит/мм², уже к 2027 году. Производитель отмечает, что для достижения данного результата потребуется поддерживать темпы роста на уровне 33 % в год.
Увеличение количества слоёв чипов 3D NAND действительно происходило весьма быстро — всего за десять лет, начиная с 2014 и заканчивая 2024 годом, их число выросло с 24 до 238, то есть рост десятикратный. Тестовые же образцы SK Hynix и вовсе насчитывают 321 слой.
При этом отмечается, что масштабирование до четырёхзначного числа слоёв является нетривиальной задачей — по информации сайта Blocks & Files, для повышения плотности чипов 3D NAND используется технология, предусматривающая необходимость наличия открытого края на каждом слое для обеспечения соединения между ячейками памяти, что формирует своеобразную лесенку, поэтому по мере увеличения количества слоёв часть полезной площади будет уменьшаться, что частично компенсирует прирост плотности.
Кроме того, при увеличении количества слоёв производитель может столкнуться с проблемами, связанными с сопротивлением канала и шумом сигнала.
Немаловажна также и финансовая составляющая данной затеи, что, учитывая некоторую обеспокоенность со стороны партнёра Kioxia, компании Western Digital, которая сетует на несоразмерный рост затрат на производство NAND на фоне сравнительно низких доходов, ставит перед японским производителем ещё одну преграду, которую необходимо будет преодолеть, чтобы претворить свои планы в реальный продукт.