РФ недавно представила свой первый отечественный фотолитографический станок, что знаменует собой значительный шаг в развитии полупроводникового производства. Сообщается, что инструмент, проходящий испытания в Зеленограде, способен производить микросхемы по 350-нм техпроцессу и толще, хотя и сильно отстает от отраслевых стандартов.
Василий Шпак, заместитель министра промышленности и торговли России, объявил об этом знаменательном событии, подчеркнув стремление утвердиться на арене производства полупроводников. Западные эксперты утверждают, что технология 350-нм, используемая в производстве, считается устаревшей по мировым меркам и напоминает технологии производства чипов более чем двадцатилетней давности.
В сравнение они приводят таких крупных игроков рынка, как Intel и AMD, которые имели эту технологию в процессорах Pentium MMX, Pentium Pro, начальном Pentium II и процессоре K6 в середине и конце 1990-х годов.
Назначение российского фотолитографического станка еще не до конца выяснено, но предположения говорят о его роли в качестве платформы для разработки более совершенных машин. Сообщается, что к концу текущего года РФ планирует перейти к 90-нм технологии, с последующими планами по производству 28-нм к 2027 году и 14-нм узлов к 2030 году.