Ожидается, что компания Qualcomm выпустит новую однокристальную систему Snapdragon 8 Gen 4 в октябре. Подробности о производительности чипсета постепенно раскрывались в течение последних нескольких месяцев, и последняя утечка демонстрирует результаты тестов.
Как сообщил инсайдер Digital Chat Station, последняя версия Qualcomm прототипа Snapdragon 8 Gen 4 имеет основное ядро с тактовой частотой 4,2 ГГц. Источник информации подтверждает тот факт, что рассматриваемое ядро является специальным, вероятно, ядром Oryon, и обеспечивает одноядерный результат около 3000 баллов, предположительно в тесте Geekbench 6. Кроме того, есть данные, что чипсет набирает около 10000 баллов в многоядерном тесте.
Для сравнения, Snapdragon 8 Gen 3 текущего поколения имеет основное ядро Cortex-X4 с тактовой частотой 3,3 ГГц и средние баллы около 2200 и 7000 в одноядерных и многоядерных тестах Geekbench соответственно. Эти числа показывают потенциальное увеличение производительности процессора на 30% для прототипа Snapdragon 8 Gen 4.
Учитывая разрекламированные частоты ядра, пользователи сети выразили обеспокоенность по поводу потенциального энергопотребления и показателей нагрева чипсета, проводя сравнения с Snapdragon 888 — флагманским чипсетом Qualcomm, выпущенным в конце 2020 года, который имел серьезные проблемы с эффективностью и температурой. Однако, по данным Digital Chat Station, Snapdragon 8 Gen 4 вряд ли будет похож на Snapdragon 888, поскольку в его основе лежит современный 3-нм техпроцесс TSMC.
