Компания Samsung планирует запустить массовое производство своего нового флагманского мобильного чипсета Exynos 2500 на 3 нм техпроцессе. Этот чипсет, скорее всего, будет использоваться в смартфоне Samsung Galaxy S25, выпуск которого ожидается в начале 2025 года.
Exynos 2500 станет первым мобильным чипсетом Samsung, изготовленным по 3 нм технологии второго поколения с использованием транзисторов Gate-All-Around (GAA). Эта передовая технология позволит существенно повысить энергоэффективность и производительность чипсета по сравнению с предыдущим поколением Exynos на 4 нм техпроцессе.
Ожидается, что Exynos 2500 продемонстрирует на 15-20% большую производительность и на 30% меньшее энергопотребление по сравнению с текущим флагманским чипсетом Snapdragon 8 Gen 2. Это даст Samsung конкурентное преимущество, поскольку основной конкурент TSMC только недавно запустил 3 нм техпроцесс первого поколения и пока отстает во внедрении технологии GAA.
Как и в случае с Galaxy S24, ожидается, что Galaxy S25 будет оснащаться как собственным чипсетом Samsung Exynos 2500, так и флагманским чипсетом Qualcomm следующего поколения, вероятно Snapdragon 8 Gen 4. Такая двойная стратегия поможет Samsung оптимизировать затраты на производство.
Использование передового 3 нм техпроцесса GAA второго поколения позволит компании выйти на качественно новый уровень как в плане производительности, так и энергоэффективности. Более подробная информация о чипсете и его возможностях ожидается ближе к запуску Galaxy S25 в начале 2025 года.