Примечание: P - канальный MOSFET характеристики: сопротивление низкой проводимости высокое напряжение низкая сетка пороговое напряжение низкое напряжение ток утечки лавина прочность светодиодная защита принцип максимального напряжения утечки Vds - 600V Rds(Только для информации) Ссылка на продукт：https://www.utsource.net/ru/itm/p/861179.html
Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент продукции. Для нас большая честь обслуживать более 300 тысяч клиентов по всему миру более 19 лет. В Utsource Live Streaming мы общаемся с вами по видео и предоставляем вам следующие быстрые услуги:
1. Получите и обработайте ваш запрос на микросхемы, модули, радиочастотные транзисторы и т. д.
2. Решите проблемы с вашим заказом
3. Ответьте на ваши вопросы о продуктах.
4. Решите свои проблемы после продажи. Любые другие вопросы или проблемы, пожалуйста, сообщите нам. Для дальнейшего общения, пожалуйста, свяжитесь с нами по этим каналам:
Адрес электронной почты: sales@utsource.com