Изображение: SK hynix
По сообщению издания The Elec, компания SK Hynix, один из ключевых производителей памяти HBM, намерена представить HBM4E уже в 2026 году, то есть на год раньше запланированного срока. Отмечается, что HBM4E станет прорывом по сравнению с нынешним HBM3, обеспечив повышение пропускной способности на 40%.
Такая "гонка" обусловлена растущей конкуренцией на рынке. Компания Samsung, другой крупный игрок, уже анонсировала выход HBM4 к 2026 году. Чтобы не отстать от конкурента, SK Hynix вынуждена форсировать темп. При этом на карту поставлено лидерство в отрасли, так как текущий лидер по объемам потребления памяти HBM, компания Nvidia, заинтересована в том, чтобы поставщики конкурировали между собой, предлагая более выгодные условия.
Детали технической реализации HBM4E пока не раскрываются. Известно, что плотность кристаллов составит 32 Гбит, а изготавливаться они будут по 10-нм техпроцессу. Открытым остается вопрос высоты стеков и типа межсоединений. Ранее SK Hynix планировала использовать гибридные связи, но от этой идеи, вероятно, придется отказаться.
Выход HBM4E запланирован на 2026 год, а уже в 2027 году ожидается начало производства следующего, 8-го поколения. Таким образом, интервал между поколениями сократится до одного года, что свидетельствует об ускоряющемся прогрессе в разработке высокопроизводительной памяти. А производители графических процессоров и суперкомпьютеров, получат доступ к более высоким технологиям в кратчайшие сроки.