Samsung Electronics планирует достичь более 1000-слойной памяти NAND, используя новые ферроэлектрические материалы на основе гафния. Данная цель представляется реальной, особенно с учетом последних разработок в области флэш-памяти. Samsung уже представил технологию V-NAND с укладкой в 290 слоев, а также планирует выпустить продукт с укладкой в 430 слоев.
На VLSI Technology Symposium будет представлены результаты исследования гафниевых ферроэлектриков, которые при определенных условиях обладают ферроэлектрическими свойствами. Компьютерная индустрия проявляет большой интерес к этим материалам, так как их использование может привести к созданию более компактных и эффективных устройств памяти и конденсаторов.
Исследование описывает значительное улучшение производительности благодаря взаимодействию эффектов захвата заряда и переключения ферроэлектриков в FeFET с металлической прослойкой затвора и канальной прослойкой. Предлагаемая модель подтверждает, что улучшение производительности объясняется усилением позиционирования. Эти результаты демонстрируют роль гафниевого ферроэлектрика в развитии технологии 3D VNAND.
Хотя Samsung не принимает непосредственного участия в исследовании и разработке гафниевых ферроэлектриков, компания все еще имеет непосредственное отношение к этому процессу. Неизвестно, приведут ли эти материалы к созданию петабайтных устройств хранения данных, однако они могут сыграть важную роль в достижении данной цели. Все это позволяет сделать вывод о том, что Samsung будет продолжать работать в этом направлении, в поисках новых решений для хранения данных.