На днях Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC представил презентацию, посвященную будущему развитию стандартов оперативной памяти. Речь идет о совершенно новых версиях LPDDR и DDR – LPDDR6, LPDDR6 CAMM2 и DDR6 соответственно. Целью новой спецификации является замена используемых в настоящее время стандартов и вывод характеристик ОЗУ на принципиально новый уровень.
В первую очередь речь идет об энергоэффективной мобильной памяти LPDDR. Действующий в настоящее время стандарт LPDDR5 был утвержден 5 лет назад, за эти годы он активно использовался производителями смартфонов и других портативных устройств. Однако теперь, по мнению JEDEC, настала пора обновлений. К тому же, если учесть, что переходные решения LPDDR5T и LPDDR5X, предложенные SK Hynix и Samsung, признаны недостаточными, то логично, что в ближайшие 1-2 года необходимы модули памяти с более высокой пропускной способностью.
Согласно презентации JEDEC, новая спецификация LPDDR6 позволит достичь скоростей передачи данных от 10,667 Гбит/с, а в перспективе и до 14,4 Гбит/с. Для сравнения, у LPDDR5 скорость составляет 6,4 Гбит/с.
Первое поколение модулей LPDDR6 обеспечит пропускную способность 28,5-32 Гбайт/с, а более совершенные решения достигнут 38,4 Гбайт/с. К примеру, у флагманских микросхем LPDDR5 аналогичный показатель не превышает 25,6 Гбайт/с.
Для модулей памяти LPDDR6 CAMM2 также ожидается прирост производительности – скорость передачи данных вырастет до 9,2-14,4 Гбит/с по сравнению с 3,2 Гбит/с для LPDDR4.
Что касается «настольных» решений, то нынешний стандарт DDR5 позволяет добиться скоростей 4-8,8 Гбит/с. Однако для DDR6 прогнозируется настоящий рекорд в 8,8-17,6 Гбит/с, а в перспективе до 21 Гбит/с! Правда пока не определен тип кодирования данных, который будет реализован в памяти нового поколения: PAM или NRZ.
Окончательные спецификации DDR6 утвердят во втором квартале 2025 года. А в текущем году подготовят черновой вариант документов.