@kandinsky21_bot
Компания Samsung сталкивается с проблемами в привлечении клиентов для своих последних технологий производства чипов, таких как 3 нм и 4 нм. Однако она не останавливается на достигнутом и продолжает разрабатывать еще более совершенные технологии. Одним из таких достижений является 2-нм техпроцесс, в котором будет использована технология транзисторов со сквозным затвором (GAA) нового поколения. Ожидается, что массовое производство этой технологии начнется в 2025 году и будет представлено на ближайших отраслевых мероприятиях.
GAA (англ. Gate-All-Around) технология - это новый дизайн транзисторов, который предлагает значительное улучшение в области эффективности и производительности полупроводниковых микрочипов. Основная идея GAA-технологии заключается в том, что канал тока окружает электростатический затвор (штурвал), что позволяет улучшить проход тока между различными компонентами чипа.
В отличие от традиционных планарных транзисторов, где затвор располагается над каналом, GAA-транзисторы имеют многогранную структуру, что обеспечивает более равномерное распределение электрического поля и повышенную эффективность. Это приводит к более высокой производительности, повышенной энергоэффективности и более компактным размерам микрочипов.
Благодаря GAA-технологии, производители полупроводников, такие как Samsung, могут создавать микрочипы с более высокими характеристиками, что в свою очередь способствует развитию новых технологий и улучшению существующих продуктов. В результате, GAA-технология становится ключевым фактором в продолжающейся гонке между компаниями в области полупроводниковой промышленности, стремящихся создать более мощные и эффективные микрочипы для различных приложений и устройств.
Недавно Samsung внедрила технологию GAA в свой 3-нм техпроцесс, который был использован в процессорах Exynos. Эта технология обеспечивает значительное улучшение в плане уменьшения площади, производительности и энергоэффективности по сравнению с 5-нм чипами. Samsung планирует начать массовое производство чипов по второму поколению 3-нм технологии GAA в 2024 году, что, как ожидается, обеспечит еще большие достижения.
Хотя главный конкурент Samsung, TSMC, еще не перешел на технологию GAA, обе компании, а также Intel, как ожидается, внедрят ее в свои грядущие 2-нм техпроцессы. Такое общее внимание к технологии GAA подчеркивает конкуренцию и инновации в полупроводниковой промышленности.
