Компания Samsung объявила о запуске в массовое производство нового поколения флэш-памяти V-NAND 9 с трехуровневыми ячейками (TLC) емкостью 1 Тб.
V-NAND 9 поколения демонстрирует улучшенные характеристики по сравнению с предыдущей версией V-NAND 8. В частности, плотность размещения битов увеличена примерно на 50%, что стало возможным благодаря уменьшению размера ячеек памяти и использованию более тонкого корпуса микросхем. Кроме того, инженеры Samsung применили ряд инновационных технологий для повышения качества и надежности памяти, таких как предотвращение помех в ячейках и увеличение срока их службы. Другим важным нововведением стала технология травления каналов, разработанная инженерами Samsung. Она позволяет создавать оптимальные пути для движения электронов внутри микросхемы и максимизировать производительность изготовления за счет возможности одновременной обработки рекордного для отрасли количества слоев ячеек. Это особенно актуально по мере увеличения числа слоев в микросхемах памяти и соответствующего усложнения процесса травления.Еще одним ключевым улучшением стал новый флэш-интерфейс Toggle 5.1, поддерживающий скорость ввода/вывода данных до 3,2 Гбит/с, что на 33% быстрее по сравнению с предыдущим поколением V-NAND. В сочетании с поддержкой высокоскоростного интерфейса PCIe 5.0 это открывает перспективы для создания еще более производительных твердотельных накопителей на основе V-NAND 9. Кроме того, инженеры Samsung смогли снизить энергопотребление новой памяти примерно на 10% по сравнению с V-NAND 8 за счет оптимизации конструкции, что особенно актуально на фоне глобального тренда на снижение выбросов углекислого газа и востребовано клиентами компании.Таким образом, благодаря комплексу инновационных технологий, V-NAND 9 поколения от Samsung продемонстрировал лучшие в отрасли показатели производительности, энергоэффективности и надежности.
