Компания Samsung запустила промышленное производство 9-го поколения флеш-памяти V-NAND. Если сравнивать с памятью 8-го поколения, ожидается прирост производительности на 33%.
Новость о начале запуске появлялась ещё несколько недель назад. Уже в апреле начнётся выпуск памяти TCL NAND. Сейчас компания выпускает память TLC ёмкостью 1 ТБ. В следующем полугодии стартует промышленное производство памяти QLC. Здесь предлагается от 290 слоёв, хотя Samsung этого официально не подтверждала.
Зато южнокорейский производитель говорил о росте плотности хранения данных на 50%. Возможности вроде предотвращения помех в ячейках и увеличение срока их службы повышают качество и надёжность.
Передовой метод травления каналов увеличивает эффективность производства и сокращает стоимость памяти. Интерфейс NAND Toggle 5.1 поднимает скорость передачи данных до 3,2 Гбит/с. Также Samsung предложит поддержку PCIe 5.0 для сохранения лидерства на рынке SSD.
Энергопотребление сократилось на 10% за счет улучшения конструкции памяти.
