Компания Samsung официально анонсировала разработку своих новейших чипов LPDDR5X – технологии DRAM, позиционирующейся как самая производительная в индустрии и оптимизированная под приложения искусственного интеллекта. Новые чипы LPDDR5X способны достигать скорости до 10,7 гигабит в секунду, хотя пока не готовы к реальному использованию.
Samsung смогла достичь наименьшего размера чипа в сравнении с существующими памятью LPDDR, используя процесс производства класса 12 нм. Новые чипы наращивают емкость мобильной DRAM до 32 гигабайт в одном корпусе, специально предназначенные для решений ИИ на устройствах.
По информации от Samsung, новые чипы улучшают производительность более чем на 25% по сравнению с предыдущими поколениями LPDDR, а емкость увеличивается более чем на 30%. Компания разработала "специализированные" технологии энергосбережения для чипов LPDDR5X, включая оптимизированное изменение мощности и расширенные интервалы режима пониженного энергопотребления. Эти новые достижения помогают улучшить энергоэффективность на 25%.
Модули DRAM LPDDR5X могут обеспечить длительное время автономной работы смартфонов и других мобильных устройств, а также помогут снизить общую стоимость владения для серверов и центров обработки данных за счет уменьшения затрат на электроэнергию. Samsung ожидает, что приложения искусственного интеллекта смогут эффективно использовать новую технологию как на портативных устройствах, так и на серверных инфраструктурах.
Вице-президент Samsung Ёнг Чеол Бэ заявил, что спрос на эффективные и высокопроизводительные продукты памяти растет быстрыми темпами, и компания ожидает расширения применения LPDDR DRAM. Samsung планирует предложить свои новейшие чипы LPDDR5X различным производителям, извлекая выгоду из предстоящего развития ИИ на устройствах. По планам компании, массовое производство чипов LPDDR5X со скоростью 10,7 Гбит/с начнется во второй половине текущего года.