На конференции Memcom, которая проходила на этой неделе, гигант полупроводниковой индустрии Samsung представил обновленную "дорожную карту" в которой было замечено несколько амбициозных технологий. К ним относятся 3D DRAM и стекированная DRAM, которые, по словам компании, могут появиться уже в этом десятилетии. Однако, согласно обновленной дорожной карте, первые чипы 3D DRAM появятся в магазиных не раньше, чем через два поколения. Так что пока нет смысла избавляться от своих модулей памяти DDR4.
В рамках конференции, посвященной различным модулям памяти, компания Samsung поделилась первыми подробностями о новых технологиях. Один из слайдов был посвящен 3D DRAM, релиз которой, как указано, намечен на 2025 год, а стекированная DRAM должна появиться несколькими годами позже, приблизительно к 2030 году. На слайде, опубликованном в соцсети X техническим обозревателем Фредой Чен, говорится, что в 3D DRAM будут использоваться вертикальные канальные транзисторы или VCT. Как отмечает Tom's Hardware, является разновидностью FinFET-транзисторов, однако также может иметь конструкцию GAA (gate-all-around). Однако, по всей видимости, Samsung решила использовать первый вариант дизайна, по крайней мере, для первого поколения своих VCT.
Samsung заявляет, что начнет производство 3D DRAM, которую ещё никто из конкурентов не представил на рынке памяти, как только перейдет на 10-нм техпроцесс. В настоящее время компания использует 12-нм техпроцесс для DRAM, и в ее планах строительство еще двух 10-нм узлов, прежде чем она сможет перейти на более тонкий процесс, что должно произойти примерно к 2025 году. Выпуск 3D DRAM на технологический рынок, по всей видимости, обеспечит значительное повышение производительности и емкости оперативной памяти, однако Samsung пока не привела никаких цифр.
Предположительно, Samsung планирует изначально предложить клиентам 3D DRAM с модулями, включающими вертикально расположенные микросхемы, схожие по конструкции с AMD V-Cache, что поможет значительно увеличить емкость памяти. После этого можно будет работать над укладкой нескольких слоев таких модулей в 3D-башню из кубиков памяти, подобно тому, как сегодня изготавливается память с высокой пропускной способностью (HBM). В настоящее время такая память ограничена восемью слоями на кубик, но к 2025 году планируется увеличить это число до 12 слоев.
3D DRAM обладает рядом потенциальных преимуществ по сравнению с традиционной DRAM. Она может быть более компактной, потреблять меньше энергии и работать на более высоких частотах. Кроме того, 3D DRAM может быть использована для создания новых типов памяти, таких как гибридная память DRAM/NAND.
