Micron представила обновленное решение для памяти LPDDR5x DRAM, которое обеспечивает скорость передачи данных 9,6 Гбит/с при экономии энергии на 4%. Технологический узел использованный в этой памяти, основан на передовых технологиях динамического масштабирования напряжения и частоты (eDVFSC) и технологии высококристаллических металлических затворов (HKMG), что позволяет достичь значительной экономии энергии и увеличить пропускную способность на 12%.
Это решение имеет ряд преимуществ и возможностей. Оно обеспечивает стабильную высокую пропускную способность для приложений, работающих с искусственным интеллектом, и дальнейшее улучшение энергоэффективности. Это важно, учитывая, что время автономной работы смартфонов является основной проблемой для конечных пользователей. Исследования показывают, что 71% пользователей смартфонов считают, что время автономной работы является самой важной характеристикой при выборе нового устройства, превышая такие характеристики, как долговечность устройства (61%), качество камеры (48%) и подключение к 5G (24%).
