США субсидируют Samsung на $6,4 млрд для производства чипов в Техасе

Администрация президента США Джо Байдена согласилась выделить до $6,4 млрд прямого финансирования компании Samsung для развития производства чипов в Техасе, сообщило министерство торговли США. «Я подписал "закон о чипах и науке", чтобы восстановить лидерство США в производстве полупроводников и обеспечить доступ американских потребителей, предприятий и военных к чипам, которые лежат в основе наших современных технологий», – приведен в сообщении министерства комментарий Байдена. В сообщении американского ведомства также отмечено, что данная мера позволит укрепить устойчивость цепочки поставок полупроводников и будет способствовать укреплению технологического лидерства США. В рамках соглашения с правительством США Samsung инвестирует $40 млрд, что приведет к созданию более 20 000 рабочих мест. Кроме того, соглашение позволит закрепить роль центрального Техаса как современной полупроводниковой экосистемы. Кластер Samsung в Техасе будет включать в себя две фабрики, которые будут производить четырех и двухнанометровые микросхемы. Кроме того, здесь будет располагаться завод, занимающийся исследованиями и разработками. Первая фабрика начнет производство в 2026 г., а вторая – в 2027 г. В американском минторге отметили, что такие инвестиции в производство микросхем позволят США к 2030 г. выпускать около 20% современных логических полупроводников. В феврале в Samsung сообщили, что компания разработала новый чип памяти с высокой пропускной способностью, который обладает «самой высокой емкостью на сегодняшний день» в отрасли. Такие чипы необходимы поставщикам услуг в сфере генеративного ИИ.