Компания Samsung анонсировала амбициозные планы по разработке передовых технологий 3D DRAM на конференции Memcon 2024. Это стратегический ход для преодоления ограничений традиционной памяти и удовлетворения растущего спроса на компактные чипы. Новый тип памяти позволит кардинально нарастить емкость чипов за счет использования вертикального измерения. По данным Semiconductor Engineering, текущие 2D конструкции DRAM подходят к своим технологическим пределам. В ближайшие годы можно, что ширина линии DRAM упадет ниже 10 нм. При таких размерах возникают серьезные физические ограничения, которые не позволяют дальше наращивать плотность размещения ячеек памяти.Именно поэтому производители чипов активно изучают альтернативные подходы. Одним из самых многообещающих является концепция 3D DRAM. За счет укладки слоев памяти по вертикали, а не по горизонтали как раньше, можно добиться многократного увеличения емкости в рамках одного кристалла. На Memcon 2024 Samsung показала две ключевые технологии, которые необходимы для реализации 3D DRAM. Первая технология основана на транзисторах с вертикальным каналом, что позволяет существенно уменьшить площадь, занимаемую одним транзистором за счет изменения ориентации. Однако для этого нужны очень точные процессы травления металла.Вторая технология - собственно многоуровневая 3D DRAM. В отличие от плоских 2D чипов, здесь используется третье измерение. Это позволяет разместить в одном корпусе сотни гигабит памяти.Разработка Samsung в сфере 3D DRAM вписываются в долгосрочную стратегию компании по расширению функциональности возможностей памяти, что будет востребовано в самых разных областях - от центров обработки данных до бытовой электроники и передовых технологий вроде AI и 5G. К 2028 году ожидается, что мировой рынок 3D DRAM вырастет до 100 млрд долларов, а чтобы упрочить лидерство, Samsung активно инвестирует в исследования в этой сфере. В частности, в начале года была создана специальная лаборатория 3D DRAM в Кремниевой Долине, призванная привлечь лучшие таланты со всего мира. Успешная реализация концепции 3D DRAM может глобально положить начало новому направлению суперкомпактных и производительных устройств.