это полупроводниковый лазерный источник, использующий p-n переход в качестве активной среды для усиления. Он представляет собой полупроводниковый лазер, накачиваемый электрическим током, где усиление происходит за счет тока, проходящего через p-n или p-i-n структуру. В этой гетероструктуре электроны и дырки рекомбинируют, высвобождая энергию, кратную энергии фотона.、 Этот процесс может быть как спонтанным, так и стимулированным входным фотоном, что приводит к оптическому усилению, а при использовании оптической обратной связи в резонаторе можно добиться генерации лазера. В статье "Полупроводниковый лазер" более подробно описан процесс усиления света в полупроводниках. Лазерный диод может быть использован как одиночный лазерный диод, так и в виде массива нескольких диодов. Большинство полупроводниковых лазеров базируются на лазерных диодах, но также существуют и другие полупроводниковые лазеры, которые работают на оптическом накачивании и, следовательно, не требуют структуры типа p-n,