Изображение: @Tokyo ElectronКомпания Samsung представила план развития технологий 3D DRAM на ближайшее десятилетие на недавней конференции Memcom. Согласно презентации, компания намерена начать выпуск 3D DRAM с использованием транзисторов с вертикальным каналом (VCT) уже в рамках техпроцесса менее 10 нм. По сути, речь идет о переходе на 3D структуры уже через 2 поколения техпроцессов, в настоящее время Samsung осваивает 10 нм технологию пятого поколения, а после нее запланирован выпуск еще двух поколений 10 нм DRAM.Вертикальные транзисторы VCT могут быть выполнены по разным технологиям, в частности на основе FinFET или с круговым затвором (GAA). Судя по слайдам Samsung, речь идет именно о 3D DRAM на базе FinFET. Такие структуры обещают значительно более высокую плотность размещения элементов по сравнению с планарными 2D технологиями.Обычно переход к 3D DRAM связывают с использованием эффективной схемы расположения ячеек 4F2. Компания Tokyo Electron, производитель оборудования для полупроводниковой промышленности, прогнозирует появление именно таких 4F2 3D DRAM с VCT транзисторами к 2027-2028 году. При этом потребуется переход на новые материалы для элементов памяти.Любопытно, что на слайдах Samsung есть упоминание о планах перехода к многослойной памяти в начале 2030-х годов. Пока трудно даже представить, каких значений может достичь объем интеграции к концу следующего десятилетия. Вероятно, к тому времени мы будем иметь дело уже с очередным поколением технологий оперативной памяти, скажем DDR6. Таким образом, Samsung намерен активно развивать 3D DRAM в ближайшие годы, наращивая плотность размещения элементов за счет использования вертикальных транзисторов и многослойных структур. Это позволит увеличивать объемы и производительность оперативной памяти при снижении себестоимости производства.
