60N6S2D - это MOSFET с каналом N, изготовленный компанией Fairchild Semiconductors. Это мощность MOSFET с максимальным напряжением источника утечки 600 В и максимальным током утечки 60А. Он предназначен для использования в высоковольтных переключателях, таких как управление двигателем, питание и преобразователи DC - DC. Устройство имеет характеристики низкого сопротивления проводимости, низкого заряда сетки и быстрого переключения. Он имеет упаковку TO - 247.(Только для информации) Ссылка на продукт:https://www.utsource.net/ru/itm/p/1860052.html Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент продукции. Для нас большая честь обслуживать более 300 тысяч клиентов по всему миру более 19 лет. В Utsource Live Streaming мы общаемся с вами по видео и предоставляем вам следующие быстрые услуги: 1. Получите и обработайте ваш запрос на микросхемы, модули, радиочастотные транзисторы и т. д. 2. Решите про