MQTSUI ME15N10 представляет собой усовершенствованный MOSFET с каналом N, изготовленный компанией MQTSUI. Это поверхностно - монтажное оборудование в упаковке TO - 252 - 2 (DPAK).ОписаниеMQTSUKI ME15N10 - высокоскоростной и низкопроводящий MOSFET. Его проводимое сопротивление составляет 15 м омега, а напряжение источника утечки - 30 В. Его максимальный ток утечки составляет 1,5 А, а максимальное напряжение затвора - ±20 В.Характеристики:Сопротивление низкой проводимостиВысокоскоростное переключениеМаксимальный ток утечки 1,5 АМаксимальное напряжение стока - источника 30 ВМаксимальное напряжение затвора ±20 ВТО - 252 - 2 (DPAK) Оборудование для поверхностного монтажа в упаковкеПрименение:MQTSUKI ME15N10 предназначен для различных применений, включая управление питанием, преобразователи DC / DC, управление двигателем и переключение питания.(Только для информации) Ссылка на продукт:https://www.utsource.net/ru/itm/p/8786209.html Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных