Описание: Память DRAM ICХарактеристики:Электричество 5VВремя посещения: 150nsОрганизация: 16M x 8Упаковка: SOJ - 42Диапазон рабочих температур: от 0°C до 70°CПоддерживающее напряжение данных: 2.2VВремя хранения данных: 10 мсСкорость обновления: 8K / 64msПериод обновления: 8K / 64msПрименениеHYB5118160BSJ - 50 - это IC памяти DRAM для различных приложений, таких как встроенные системы, автомобили, потребительская электроника и промышленные приложения. Он подходит для приложений, требующих высокой скорости и низкого энергопотребления.(Только для информации) Ссылка на продукт：https://www.utsource.net/ru/itm/p/454280.html
Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент продукции. Для нас большая честь обслуживать более 300 тысяч клиентов по всему миру более 19 лет. В Utsource Live Streaming мы общаемся с вами по видео и предоставляем вам следующие быстрые услуги:
1. Получите и обработайте ваш запрос на микросхемы, модули, радиочастотные транзисторы и т. д.
2. Решите проблемы с вашим заказом
3. Ответьте на ваши вопросы о продуктах.
4. Решите свои проблемы после продажи. Любые другие вопросы или проблемы, пожалуйста, сообщите нам. Для дальнейшего общения, пожалуйста, свяжитесь с нами по этим каналам:
Адрес электронной почты: ru2@utsource.com
Тел: +7 910 596-09-09
WhatsApp/Telegram: +7 910 596-09-09