В настоящее время JEDEC разрабатывает стандарты для 6-го поколения памяти с высокой пропускной способностью (AKA HBM4) - 12- и 16-слойные DRAM-конструкции должны выйти в массовое производство в 2026 году. Согласно отчету южнокорейского портала ZDNET, производители обсуждают толщину упаковки HBM4 - предположительно, они остановились на 775 микрометрах (мкм).
Это больше, чем у предыдущего поколения - 720 микрометров (мкм). Samsung Electronics, SK Hynix и Micron изучают возможность "гибридного склеивания" - новой технологии упаковки, при которой встроенные чипы и пластины соединяются непосредственно друг с другом. Гибридное соединение, как ожидается, будет довольно дорогим, поэтому производители памяти тщательно изучают вопрос о целесообразности использования HBM4.
ZDNET считает, что "соглашение JEDEC о 775 микрометрах (мкм) для 12- и 16-слойной укладки HBM4 может оказать значительное влияние на будущие тенденции инвестиций в упаковку основных производителей памяти". Эти компании готовят новую технологию упаковки, гибридное склеивание, учитывая возможность того, что толщина упаковки HBM4 будет ограничена 720 микрометрами.
Однако, если толщина упаковки будет до 775 микрометров, 16-слойная DRAM, уложенная в HBM4, может быть реализована с помощью существующей технологии склеивания". Пересмотр графика может задержать внедрение гибридного соединения - возможно, его перенесут на более поздний срок, чтобы успеть выпустить седьмое поколение HBM. В отчете говорится, что инженеры Samsung Electronics, SK Hynix и Micron собираются сосредоточиться на усовершенствовании существующих технологий.