Примечание: TK100E10N1 представляет собой высокоскоростной, низкозатратный и малошумный Н - канальный MOSFET с максимальным током утечки 10A и максимальным напряжением источника утечки 100V.Характеристики:Сопротивление низкой проводимостиНизкий шумВысокоскоростное переключениезаряд на низкой сеткеНизкое напряжение сетки - источникавысокотемпературная операцияТО - 220 УпаковкаПрименение:Высокоскоростное переключениеПреобразователь DC - DCЭлектроуправлениеЭлектричествоПереключение нагрузки(Только для информации) Ссылка на продукт:https://www.utsource.net/ru/itm/p/8922672.html Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент продукции. Для нас большая честь обслуживать более 300 тысяч клиентов по всему миру более 19 лет. В Utsource Live Streaming мы общаемся с вами по видео и предоставляем вам следующие быстрые услуги: 1. Получите и обработайте ваш запрос на микросхемы, модули, радиочастотные тран