Примечание: IXFH8N80 представляет собой усовершенствованный MOSFET с каналом N, изготовленный компанией IXYS.Характеристики:* Максимальное напряжение источника утечки: 800 В* Максимальный ток утечки: 8A* Максимальное напряжение затворного источника: ±20В* RDS (Открыть) Максимальное значение: 0,45 Омега* Упаковка: TO - 247Применение:* Электроуправление* Переключить питание:: Источники бесперебойного питания* Зарядное устройство для аккумуляторов:: Инверторы солнечной энергии:: Высокочастотные преобразователи DC - DC(Только для информации) Ссылка на продукт：https://www.utsource.net/ru/itm/p/384569.html
Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент продукции. Для нас большая честь обслуживать более 300 тысяч клиентов по всему миру более 19 лет. В Utsource Live Streaming мы общаемся с вами по видео и предоставляем вам следующие быстрые услуги:
1. Получите и обработайте ваш запрос на микросхемы, модули, радиочастотные транзисторы и т. д.
2. Решите проблемы с вашим заказом
3. Ответьте на ваши вопросы о продуктах.
4. Решите свои проблемы после продажи. Любые другие вопросы или проблемы, пожалуйста, сообщите нам. Для дальнейшего общения, пожалуйста, свяжитесь с нами по этим каналам:
Адрес электронной почты: ru2@utsource.com
Тел: +7 910 596-09-09
WhatsApp/Telegram: +7 910 596-09-09