инкапсуляция: TO - 3P Производитель: IXYS Описание: IXTQ52N30P - высоковольтный, высокоскоростной и N - канальный транзистор MOSFET, изготовленный IXYS. Характеристики: Высокое давление: VDS = 500V Высокоскоростная скорость: tD (on) = 2,2 мкс Низкий сеточный заряд: Qg = 15nC Низкопроводящее сопротивление: RDS (on) = 0,52 Ом Лавинное номинальное применение: переключатель питания Двигатель управления DC - DC преобразователь высокого давления(Только для информации) Ссылка на продукт：https://www.utsource.net/ru/itm/p/1719339.html
Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент продукции. Для нас большая честь обслуживать более 300 тысяч клиентов по всему миру более 19 лет. В Utsource Live Streaming мы общаемся с вами по видео и предоставляем вам следующие быстрые услуги:
1. Получите и обработайте ваш запрос на микросхемы, модули, радиочастотные транзисторы и т. д.
2. Решите проблемы с вашим заказом
3. Ответьте на ваши вопросы о продуктах.
4. Решите свои проблемы после продажи. Любые другие вопросы или проблемы, пожалуйста, сообщите нам. Для дальнейшего общения, пожалуйста, свяжитесь с нами по этим каналам:
Адрес электронной почты: ru2@utsource.com
Тел: +7 910 596-09-09
WhatsApp/Telegram: +7 910 596-09-09
