Примечание: IPB600N25N3G представляет собой MOSFET с каналом N с максимальным напряжением утечки 600 В и максимальным током утечки 25А. Он имеет низкий сеточный заряд и низкопроводящее сопротивление.Характеристики:Максимальное напряжение источника утечки: 600 ВМаксимальный ток утечки: 25Aзаряд на низкой сеткеСопротивление низкой проводимостиВысокая скорость переключенияПрименение:Преобразователь DC - DCПереключить питаниеЭлектроуправлениеСистема управления батареямиАвтомобильные приложения(Только для информации) Ссылка на продукт：https://www.utsource.net/ru/itm/p/7270044.html
Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент продукции. Для нас большая честь обслуживать более 300 тысяч клиентов по всему миру более 19 лет. В Utsource Live Streaming мы общаемся с вами по видео и предоставляем вам следующие быстрые услуги:
1. Получите и обработайте ваш запрос на микросхемы, модули, радиочастотные транзисторы и т. д.
2. Решите проблемы с вашим заказом
3. Ответьте на ваши вопросы о продуктах.
4. Решите свои проблемы после продажи. Любые другие вопросы или проблемы, пожалуйста, сообщите нам. Для дальнейшего общения, пожалуйста, свяжитесь с нами по этим каналам:
Адрес электронной почты: ru2@utsource.com
Тел: +7 910 596-09-09
WhatsApp/Telegram: +7 910 596-09-09