DS1216 - B - это нестабильная статическая RAM (NVSRAM) компании Dallas Semiconductors с резервной батареей. Это 28 - контактный DIP - пакет с батарейным сиденьем. DS1216 - B NVSRAM - это статическая оперативная память с низким энергопотреблением, которая использует литиевые батареи для поддержания данных при сбое питания. Устройство имеет емкость 128K x 8 бит и организовано как 16K x 8. Он спроектирован с низким энергопотреблением CMOS и использует одну литиевую батарею 3V. Устройство также имеет ключ защиты записи, который может использоваться для защиты данных от случайных операций записи. DS1216 - B идеально подходит для приложений, требующих хранения данных при отключении электроэнергии, таких как промышленные системы управления, медицинские приборы и системы записи данных. Он также подходит для приложений, требующих низкоэнергоемких и нестабильных запоминающих решений.(Только для информации) Ссылка на продукт:https://www.utsource.net/ru/itm/p/1568648.html Utsource — профессиональн