Компания Silicon Motion Technology Corporation представила новый контроллер UFS (Universal Flash Storage) 4.0 SM2756, разработанный для удовлетворения требований смартфонов, работающих на базе искусственного интеллекта, а также других высокопроизводительных приложений, включая автомобильные и граничные вычисления. Контроллер SM2756 использует передовую технологию EUV 6 нм и архитектуру MIPI M-PHY с низким энергопотреблением, обеспечивая высокую производительность и энергоэффективность. Контроллер достигает скорости последовательного чтения более 4300 МБ/с и скорости последовательной записи более 4000 МБ/с, поддерживая флэш-память NAND плотностью до 2 ТБ. Компания также представила контроллер SM2753 UFS 3.1 второго поколения, который обеспечивает производительность последовательного чтения 2150 МБ/с и последовательной записи 1900 МБ/с, используя флэш-память 3D TLC и QLC NAND нового поколения.
Новые контроллеры UFS от Silicon Motion оснащены передовой технологией LDPC ECC и функцией обнаружения и исправления ошибок в данных SRAM, что повышает надежность данных, улучшает производительность и снижает энергопотребление. Эти контроллеры поддерживают самый широкий спектр NAND, включая новейшую флэш-память 3D TLC и QLC NAND от всех ведущих производителей флэш-памяти. Компания Silicon Motion заявляет, что их новые контроллеры отвечают потребностям современных смартфонов премиум-класса, требующих высокой производительности, большой емкости и низкого энергопотребления NAND-накопителей.
Ожидается, что массовое производство контроллеров UFS 4.0 SM2756 начнется в середине 2024 года, а контроллеров UFS 3.1 SM2753 - уже началось. Silicon Motion является мировым лидером в поставке контроллеров NAND-флэш для твердотельных накопителей и является ведущим поставщиком контроллеров для встраиваемых систем хранения данных eMMC и UFS, используемых в смартфонах, устройствах IoT и других приложениях. Компания также разрабатывает специализированные твердотельные накопители для гипермасштабных центров обработки данных, промышленности и автомобилестроения.