12N60A4D - это транзистор MOSFET с каналом N, изготовленный из итальянских полупроводников. Он упакован в упаковку TO - 3P и предназначен для использования в мощных переключателях. Примечание: 12N60A4D представляет собой транзистор MOSFET с N - канальным каналом с максимальным током утечки 12A и максимальным напряжением утечки 600V. Он имеет низкое сеточное пороговое напряжение и сопротивление низкой проводимости и является идеальным выбором для применения высокомощных переключателей. Особенности: максимальный ток утечки: 12А максимальное напряжение стока - источника: 600 В низкое сеточное пороговое напряжение Низкое проводящее сопротивление Применение: переключатели большой мощности с использованием двигателя преобразователя DC - DC для управления питанием(Только для информации) Ссылка на продукт:https://www.utsource.net/ru/itm/p/1551777.html Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент пр