Samsung продемонстрирует свою 12-слойную память HBM3E на GTC 2024 с помощью Hopper H2. Компания Samsung, которая недавно представила свою 12-высокую память HBM3E, как ожидается, продемонстрирует ее на предстоящем мероприятии NVIDIA GTC 2024.
По сообщению Business Korea, будут использоваться в графическом процессоре NVIDIA "Hopper" H200 AI, более продвинутую версию H100, с поддержкой HBM3E и большим объемом памяти. 12-слойный стек HBM3E от Samsung состоит из 12 слоев DRAM с инновационной схемой подключения.
Каждый стек обеспечивает плотность до 288 Гбит, или 36 ГБ, что составляет 216 ГБ памяти по сравнению с 6144-битным интерфейсом памяти HBM3E в H200. Ни Samsung, ни NVIDIA не сообщили о скоростях DRAM для Samsung 12H HBM3E в конфигурации H200.
