IXTN79N20 - это MOSFET повышенной мощности с каналом IXYS N, предназначенный для высокоскоростных переключателей мощности. Примечание: Сопротивление проводимости IXTN79N20 составляет 00078 Ом, а максимальное напряжение пробоя источника утечки - 200 В. Он соответствует стандарту RoHS и имеет упаковку TO - 220AB, разъем изолирован от установленной поверхности. Особенности: * Высокая скорость переключения * Низкая проводимость * Низкая входная емкость * Низкое пороговое напряжение * Соответствует приложению RoHS: IXTN79N20 может использоваться для высокоскоростных переключателей питания, таких как DC - DC преобразователи, SMPS, UPS системы, регуляторы переключателей, инверторы, приводы двигателей и управление двигателями.(Только для информации) Ссылка на продукт:https://www.utsource.net/ru/itm/p/1553009.html Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент продукции. Для нас большая честь обслужив