Примечание: SI9120DY - T1 - E3 представляет собой усовершенствованный MOSFET с каналом P, предназначенный для применения при низком напряжении и низком токе. Характеристики: Сопротивление низкой проводимости: RDS (On) = 0.15 Ом (max) @ VGS = - 4.5 V Низкое пороговое напряжение: VGS (th) = - 2.0 В (max) Низкая входная емкость: Ciss = 5.0 pF (typ) Низкий выходной конденсатор: Coss = 1.0 pF (typ) Низкий ток утечки: IDSS = 0.1 мкА (max) Скорость быстрого переключения: tD (On) = 0.4 ns (typ) Приложение: Защита аккумуляторных батарей от переключателей нагрузки для автомобилей Применение низковольтных преобразователей DC / DC для управления питанием низкого напряжения(Только для информации) Ссылка на продукт：https://www.utsource.net/ru/itm/p/5147185.html
Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент продукции. Для нас большая честь обслуживать более 300 тысяч клиентов по всему миру более 19 лет. В Utsource Live Streaming мы общаемся с вами по видео и предоставляем вам следующие быстрые услуги:
1. Получите и обработайте ваш запрос на микросхемы, модули, радиочастотные транзисторы и т. д.
2. Решите проблемы с вашим заказом
3. Ответьте на ваши вопросы о продуктах.
4. Решите свои проблемы после продажи. Любые другие вопросы или проблемы, пожалуйста, сообщите нам. Для дальнейшего общения, пожалуйста, свяжитесь с нами по этим каналам:
Адрес электронной почты: ru2@utsource.com
Тел: +7 910 596-09-09
WhatsApp/Telegram: +7 910 596-09-09
