В молодежной лаборатории микро- и наноэлектроники ЛЭТИ разработали теоретический подход для исследования сверхрешеток для создания приборных структур новых компактных источников ТГц излучения, работающих при комнатной температуре.
Полупроводниковыми сверхрешетками (CР) называют полупроводниковые гетероструктуры с периодом, превышающим постоянную кристаллической решетки. Несмотря на то, что за последние десятилетия было разработано множество теоретико-экспериментальных методов как для создания, так и исследования их свойств, интерес к изучению СР не ослабевает. Целый ряд генераторов и детекторов излучения различных спектральных диапазонов изготавливается на их основе.
Читать далее здесь (оригинал статьи) https://www.rlocman.ru/news/new.html?di=665139