3N60A4D - это MOSFET с каналом N, изготовленный компанией Fairchild Semiconductors. Это пакет Т - 220 с изоляционным разъемом.Описание3N60A4D - это MOSFET с N - каналом, предназначенный для применения при высоком напряжении и токе. Его номинальное напряжение утечки составляет 600 В, а ток утечки - 4А. Он также имеет низкое сеточно - пороговое напряжение 2,5 В и низкое сопротивление пропускания 0,08 Ом.Характеристики:\600В Номинальное напряжение источника утечки\\r \n 4A Номинальное значение тока стока - источникапороговое напряжение низкой сетки - источника 2,5 В \r \nСопротивление низкой проводимости \r \n 0,08 ОмВкладка \r \n изоляцияПрименение:3N60A4D предназначен для применения при высоком напряжении и токе, таких как управление двигателем, питание и освещение. Он также может использоваться для обмена приложениями.(Только для информации) Ссылка на продукт：https://www.utsource.net/ru/itm/p/1275536.html
Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент продукции. Для нас большая честь обслуживать более 300 тысяч клиентов по всему миру более 19 лет. В Utsource Live Streaming мы общаемся с вами по видео и предоставляем вам следующие быстрые услуги:
1. Получите и обработайте ваш запрос на микросхемы, модули, радиочастотные транзисторы и т. д.
2. Решите проблемы с вашим заказом
3. Ответьте на ваши вопросы о продуктах.
4. Решите свои проблемы после продажи. Любые другие вопросы или проблемы, пожалуйста, сообщите нам. Для дальнейшего общения, пожалуйста, свяжитесь с нами по этим каналам:
Адрес электронной почты: ru2@utsource.com
Тел: +7 910 596-09-09
WhatsApp/Telegram: +7 910 596-09-09