При условии, что статическая рабочая точка установлена соответствующим образом и на входе подается небольшой сигнал переменного тока, транзистор может быть эквивалентен линейной двухполюсной схеме. Представлен переменными составляющими тока и напряжения. Прямо сейчас:
Среди них Ib и Ube — входные переменные транзистора, а поверхности Ic и Uce — выходные переменные.
Четыре коэффициента hie, hre, hfe и hoe в уравнении называются эквивалентными параметрами h транзистора, где
Физический смысл параметра h:
hie называется входным сопротивлением, когда выходная клемма закорочена, или просто входным сопротивлением. Он отражает способность напряжения базы контролировать ток базы, когда выходное напряжение UCE остается неизменным, и обычно обозначается RbE.
hre называется коэффициентом передачи обратного напряжения, когда входной переменный ток разомкнут, также известен как коэффициент внутренней обратной связи по напряжению. Он отражает обратное влияние выходного напряжения uCE на входной контур через внутренний транзистор и представляет собой безразмерный пропорциональный коэффициент.
hfe называется коэффициентом усиления тока, когда выходная клемма закорочена, или просто коэффициентом усиления тока. Оно отражает способность тока базы IB управлять током коллектора IC, то есть способность транзистора усиливать ток.Это безразмерное число, обычно обозначаемое β.
мотыга называется выходной проводимостью, когда входной переменный ток разомкнут, или просто выходной проводимостью. Он отражает способность выходного напряжения uCE управлять выходным током, когда IB остается неизменным. Единица измерения — Сименс (S), которая обычно обозначается как 1/RCE. Видно, что эти четыре параметра имеют разные предельные уровни, поэтому их называют гибридными (HybRId) параметрами и обозначают h. Значение первого индекса параметра h следующее: I представляет вход, R представляет обратную передачу, f представляет прямую передачу и o представляет выход; второй индекс E представляет метод подключения с общим эмиттером.
При его использовании должно быть понятно:
(1) Все четыре параметра h представляют собой отношения микропеременного тока и микропеременного напряжения. Следовательно, параметр h является параметром переменного тока.
(2) Все четыре параметра h являются частными производными в точке Q. Следовательно, они тесно связаны с точкой Q и изменяются при изменении точки Q;
(3) Параметр h является эквивалентным параметром транзистора в условиях слабого сигнала.