PNP-транзистор — еще один тип транзистора, его структура показана на рисунке 1.
Принцип его работы аналогичен принципу работы NPN-транзистора, за исключением того, что большинство носителей, которые движутся в области базы и усиливают сигнал, представляют собой дырки, а не электроны.Эмиттерный переход PNP-транзистора должен быть смещен в прямом направлении, а напряжение, принимаемое по базе выше, чем напряжение эмиттерной области., а если большая часть дырок носителей проходит через коллектор, то напряжение в области коллектора ниже, чем в области базы. Это прямо противоположно межэлектродному потенциалу. Внешний вид NPN-транзистора На следующем рисунке показан внешний вид PNP-транзистора.
Для применения комплементарной конструкции NPN-PNP и определенных требований к полярности схемы смещения в биполярных аналоговых интегральных схемах необходимо ввести транзисторы структуры PNP. Например, боковые трубки PNP широко используются в таких схемах, как активные нагрузки и сдвиги уровней. Его производство может осуществляться одновременно с обычными трубками NPN, без дополнительных процессов. В боковой трубке PNP неосновные носители (дырки), инжектированные в область эмиттера, текут в базовой области параллельно подложке, поэтому ее называют боковой трубкой PNP. В конструкции вертикальной трубки PNP в качестве области коллектора используется подложка P-типа, а коллектор выведен из изоляционной канавки с концентрированным бором. В качестве базовой области используется эпитаксиальный слой N-типа, а в качестве эмиттерной области — диффузия бора.
Поскольку его коллектор подключен к подложке, он всегда подключен к самому низкому потенциалу в цепи, что ограничивает его использование.В операционных усилителях его обычно можно использовать только в качестве выходного каскада или выходного буферного каскада.