Примечание: Это модуль на биполярных транзисторах с высоковольтной изоляционной решеткой (IGBT) производства Toshiba. Характеристики: * Номинальное напряжение 1200В высокое * Сопротивление пропускания 0,6 Ом низкое * ёмкость тока 100А высокое * Низкие потери переключателя: этот модуль IGBT подходит для различных применений, включая управление двигателем, преобразование мощности и системы питания. Это также относится к высокочастотным переключателям.(Только для информации) Ссылка на продукт：https://www.utsource.net/ru/itm/p/199973.html
Utsource — профессиональная платформа для закупок электронных компонентов. У нас есть огромные каналы поставок продукции и полный ассортимент продукции. Для нас большая честь обслуживать более 300 тысяч клиентов по всему миру более 19 лет. В Utsource Live Streaming мы общаемся с вами по видео и предоставляем вам следующие быстрые услуги:
1. Получите и обработайте ваш запрос на микросхемы, модули, радиочастотные транзисторы и т. д.
2. Решите проблемы с вашим заказом
3. Ответьте на ваши вопросы о продуктах.
4. Решите свои проблемы после продажи. Любые другие вопросы или проблемы, пожалуйста, сообщите нам. Для дальнейшего общения, пожалуйста, свяжитесь с нами по этим каналам:
Адрес электронной почты: ru2@utsource.com
Тел: +7 910 596-09-09
WhatsApp/Telegram: +7 910 596-09-09