Обратный ток при включении
В NPN-транзисторе база имеет положительное смещение, коллектор — отрицательное, а обратный ток течет от эмиттера к коллектору. Также учтите проблемы, которые могут возникнуть при использовании в качестве транзисторов (например, меньший коэффициент усиления по току).
1. Установлено, что в результате использования не возникнет никаких проблем, таких как деградация или разрушение.
2. В случае NPN-транзистора B симметричен C, а E - N. Следовательно, C и E можно использовать в качестве транзистора даже при обратном соединении. В этом случае ток будет течь от E к C.
3. Ниже приведены характеристики транзисторов, включенных в обратном порядке.
- Низкий hFE (ок. 10% от значения прямого направления).
- Низкое сопротивление напряжению (около 7-8В, примерно такое же, как у VEBO) В некоторых стандартных транзисторах напряжение может быть даже ниже (ниже 5В) (Учтите, что чрезмерно низкое сопротивление напряжению может привести к пробою и ухудшению характеристик).
- VCE(sat) и VBE(ON) не должны сильно измениться.
Допустимая потеря мощности пакета
Допустимая потеря мощности корпуса — это когда на транзистор подается напряжение и устройство начинает выделять тепло из-за потери мощности из-за протекания тока, особенно когда температура перехода Tj достигает абсолютного максимального значения (150°C).
Метод расчета (где △Tx — величина повышения температуры при подаче питания Px)
В этом случае Pc, Ta, △Tx и Px могут быть получены непосредственно из результатов измерений. Tj — единственное значение, которое не может быть получено напрямую. Поэтому ниже показано, как измерить VBE, из чего мы можем определить температуру перехода Tj.
В кремниевых транзисторах VBE будет меняться в зависимости от температуры.
Следовательно, температуру перехода можно определить путем измерения VBE. В схеме измерения, показанной на диаграмме 1, к транзистору применяется условие мощности корпуса Pc(max) (в случае транзистора мощностью 1 Вт условия питания составляют VCB=10VIE=100 мА).
Как видно на диаграмме 2:
- VBE1 is measured as the initial value of VBE
- When power is supplied to the transistor, heat saturation will occur at the junction
- he value of VBE after will be VBE2
- From these results: △VBE=VBE2-VBE1
Здесь кремниевый транзистор будет иметь фиксированный температурный коэффициент, который составляет примерно -2,2 мВ/°C. (Транзисторы NoteL Дарлингтона созданы за счет использования двух транзисторов -4,4 мВ/°C). Следовательно, △VBE от подаваемой мощности можно определить по повышению температуры перехода, используя следующую формулу.
fT: Полоса усиления, частота среза
fT: Полоса усиления указывает максимальную рабочую частоту транзистора. В это время соотношение токов коллектора и тока базы ограничено до 1 (hFE=1).
Когда частота входного сигнала, подаваемого на базу, приближается к рабочей частоте, hFE начинает уменьшаться. Когда hFE становится равным 1, рабочая частота fT называется полосой усиления. fT означает предел рабочей частоты. Однако в действительности для эксплуатации значение будет составлять от 1/5 до 1/10 значения fT.
f: Зависит от измерительного оборудования. Опорная частота для измерений.
VCE: дополнительная настройка – для продуктов ROHM обычно используется стандартное значение.
Ic: дополнительная настройка – для продуктов ROHM обычно используется стандартное значение.