Компания Samsung начала распространение образцов карты памяти SD Express microSD объёмом 256 ГБ. Отличительной чертой этой карты является скорость последовательного чтения данных до 800 МБ/с.
Представитель Samsung говорит о важности этого достижения, обещая уровень производительности твердотельных накопителей и большую вместимость в весьма компактном формате. Это позволит пользоваться самым современными устройствами и приложениями как сейчас, так и в будущем.
Классические карты памяти microSD обычно основаны на интерфейсе UHS-1 с максимальной скоростью чтения 104 МБ/с. В данном случае это значение удалось увеличить до 985 МБ/с.
Используя протокол PCIe Gen3x1, карта памяти способна конкурировать с SSD. Её скорость чтения в 1,4 раза быстрее скорость большинства твердотельных накопителей и в четыре с лишним раза превосходит обычные карты памяти UHS-1. Технология Samsung Dynamic Thermal Guard отвечает за производительность и надёжность регулировкой температуры карты при длительных нагрузках.
Карта использует восемь слоёв памяти типа V-NAND 8-го поколения. При производстве карта подвергалась строгим испытаниям на долговечность и она имеет шесть защитных функций: водостойкость, устойчивость к экстремальным температурам, падению, износа, рентгеновскому излучению и антимагнитную защиту.