Решение Shinebolt от Samsung на данный момент является самым емким продуктом HBM на сегодняшний день - 36 ГБ. Производитель чипов также заявляет о рекордно высокой пропускной способности в 1280 ГБ/с, что вероятно немного выше, чем у решения Micron, скорость которого превышает 1,2 ТБ/с. Micron не предоставил точную цифру, но мы считаем, что у Samsung она немного выше, потому что она обеспечивает пропускную способность на вывод 9,8 Гбит/с против 9,2 Гбит/с.В любом случае, новейшее решение HBM3E от Samsung обеспечивает повышение пропускной способности более чем на 50% по сравнению с его предшественником под кодовым названием Icebolt, который представляет собой 8-стековое решение HBM3.По словам Samsung, использование усовершенствованной термокомпрессионной непроводящей пленки (TC NCF) позволило ей упаковать 12-слойную память с той же высотой, что и 8-слойную память. По словам Samsung, со временем ее специальная пленка принесет больше преимуществ, а именно: уменьшение деформации чипов за счет более высоких стеков на более тонких кристаллах.Достижения в области HBM также имеют решающее значение для стимулирования ресурсоемких приложений в области искусственного интеллекта (ИИ). С этой целью Samsung утверждает, что 12-слойная HBM3E может увеличить среднюю скорость обучения ИИ на 34% по сравнению с 8-слойной HBM3, а также позволяет более чем в 11,5 раз увеличить количество одновременных пользователей для служб вывода.Samsung заявляет, что начала предлагать покупателям свой 12H HBM3E и планирует начать его массовый выпуск в ближайшие месяцы. Между тем Micron также пробует 36 ГБ 12H HBM3E для партнерских решений, которые дебютируют в марте, поэтому явного преимущества между двумя производителями памяти нет.