SK Hynix представила планы по выпуску памяти HBM с высокой пропускной способностью. Компания планирует выпустить HBM3E в первой половине 2024 года, предлагая пропускную способность до 1,2 ТБ/с на стек и до 7,2 ТБ/с в конфигурации из 6 стеков.
HBM3E будет использоваться для удовлетворения растущих потребностей в пропускной способности данных, особенно с учетом быстрого роста генеративного искусственного интеллекта. SK Hynix также разрабатывает HBM4, который будет представлен в 2025 году и начнет массовое производство в следующем году. HBM4 будет иметь более широкий 2048-битный интерфейс и пиковую пропускную способность более 1,5 ТБ/с на стек.
Более широкий интерфейс и скорость передачи данных 6 ГТ/с позволят значительно расширить границы пропускной способности памяти и удовлетворить потребность в высокопроизводительных вычислениях и рабочих нагрузках ИИ. Кроме того, Samsung также планирует выпустить HBM4 в 2025/2026 годах. Обе компании также стремятся к разработке индивидуальных решений HBM, чтобы удовлетворить потребности клиентов.
