На международной конференции производители чипов памяти покажут свои последние достижения и по всей видимости, компания Samsung приготовила главный сюрприз этого года. Южнокорейская компания собирается представить свою новейшую разработку - 280-слойную NAND флеш-память типа QLC, которая позволит ей опередить конкурентов по плотности чипов на 50%. Появление на компьютерном рынке этой памяти в 2024 году может положить начало эры доступных твердотельных накопителей огромной ёмкости.
20 февраля стартует Международная конференция по твердотельным схемам (ISSCC), и, согласно немецкому изданию Computerbase, презентация Samsung должна произвести фурор. Южнокорейская компания планирует провести презентацию на тему «280-слойная флэш-память 3D-NAND емкостью 1 ТБ, 4 бита на ячейку, плотностью записи 28,5 ГБ/мм² и высокоскоростной скоростью ввода-вывода 3,2 ГБ/с». Несмотря на множество технических параметров, ключевые характеристики - 280 слоев и плотность 28,5 Гб/мм², которые станут новым рекордом для индустрии. Появление этой технологии оттеснит китайского производителя памяти YMTC, который в настоящее время предлагает 232-слойную NAND с плотностью всего 19,8 Гб на миллиметр квадратный.
На этом слайде 2022 года показаны планы компании в отношении V9 QLC NAND, которая стала основой для ее высокопроизводительных SSD. Фото: Samsung
Даже такие именитые гиганты отрасли, как SK Hynix и Micron, не могут похвастаться подобными показателями. У SK Hynix есть 300-слойная TLC NAND флэш-память, но с плотностью записи только 20Гб/мм2. Intel также разрабатывает пятибитную ячейку PLC NAND, однако максимальная плотность составляет 23,3Гб/мм2. Micron же анонсировала свою 232-слойную TLC NAND с пиковым значением 14,6Гб/мм2. Единственным недостатком разработки Samsung является то, что память высокой плотности не может выполнять непрерывную передачу данных с максимальной пропускной способностью, поскольку диски QLC используют буфер SLC. Как только этот буфер заполнен, скорость значительно падает. Таким образом, накопители QLC NAND больше ориентированы на емкость, чем на производительность, поэтому вряд ли мы увидим новую память в игровых PCIe 5.0 накопителях.
Ожидается, что следующее поколение VNAND от Samsung войдет в серию V9, или флэш-память девятого поколения. Технология V8 имеет 238 слоёв, так что логично предположить, что 280 слоёв будет использоваться для моделей V9. По данным Computerbase, в прошлом году Samsung анонсировала появление V9 QLC NAND в 2024 году со скоростью передачи 2.4Гб/с. Однако в предстоящей презентации скорость указана другая - 3.2Гб/с, а это значит, что компания превзошла собственные ожидания.
Нам придется подождать несколько недель, чтобы узнать, какую емкость сможет обеспечить такой уровень плотности, но Tom's Hardware предполагает, что это может привести к появлению M.2 накопителей емкостью 8 и 16 ТБ. До сих пор Samsung не выпускала накопителей емкостью более 4 ТБ, так что технология V9 может стать новым этапом в развитии высокоёмкостных потребительских SSD.