На конференции ISSCC 2024 были представлены планы Samsung и SK Hynix по разработке высокоскоростной памяти на основе спецификаций GDDR7. Обе компании стремятся создать память GDDR7 с высокой скоростью передачи данных, используя инновационные технологии передачи сигналов PAM3 (Pulse Amplitude Modulation 3) и NRZ (Non-Return-to-Zero). Samsung планирует достичь скорости передачи данных в 37 Гбит/с, в то время как SK Hynix нацеливается на скорость 35,4 Гбит/с. Эти технологические разработки могут предоставить более высокую производительность и эффективность в сравнении с предыдущими стандартами памяти. Компания Micron также принимает участие в гонке, заявив о намерении разработать память GDDR7 со скоростью 36 Гбит/с, ожидаемой на рынке не ранее 2026 года. Память GDDR7 уже анонсирована со скоростью до 32 Гбит/с. Samsung представила память GDDR6 с рекордной скоростью 24 Гбит/с, что используется в дискретных настольных графических процессорах. Лидерами на рынке в данной категории сейчас являю
Samsung показала новую память для видеокарт, которая на 50% быстрее предшественницы
30 января 202430 янв 2024
1 мин