Китайские компании ChangXin Memory Technologies (CXMT) и Yangtze Memory Technologies (YMTC) используют разные стратегии для преодоления санкций США, которые запретили импорт ключевого оборудования для производства чипов DRAM и NAND флеш-памяти.
CXMT начала массовое производство чипов DRAM по нормам 18,5 нм, превышающий предел в 18 нм, установленный США, и соответствующий техническим нормам Министерства торговли. CXMT планирует увеличение производственных мощностей и достичь 10% от общего объема производства DRAM в мире.
YMTC, напротив, сталкивается с ограничениями в импорте оборудования, но продолжает вести исследования и разработки, создавая новые продукты, включая флэш-память NAND с 300 и более слоями. Однако, даже эти продукты, соответствующие ограничению в 128 слоев, требуют одобрения США для увеличения объемов производства. YMTC, несмотря на препятствия, стремится продвигать китайский полупроводниковый потенциал.
