особенности
● Технология Avalanche Rugged
● Технология Rugged Gate Oxide
● Более низкая входная емкость
● Улучшенный заряд затвора
● Расширенная безопасная рабочая зона
● Меньший ток утечки: 10 мкА (макс.) при VDS = 200 В
● Низкий RDS (ВКЛ.): 0,054 Ом (тип.)
особенности
● Технология Avalanche Rugged
● Технология Rugged Gate Oxide
● Более низкая входная емкость
● Улучшенный заряд затвора
● Расширенная безопасная рабочая зона
● Меньший ток утечки: 10 мкА (макс.) при VDS = 200 В
● Низкий RDS (ВКЛ.): 0,054 Ом (тип.)