● Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер.
VCE(sat)= 1,37 В тип. (IC= 40А, VGE= 15В, Ta = 25℃)
● Встроенный диод быстрого восстановления в одном корпусе.
● Траншейные ворота и технология тонких пластин.
● Высокая скорость переключения
tr= 85 нс тип. (при IC=30A,VCE = 400 В, VGE=15В Rg =5, Ta = 25℃, индуктивная нагрузка)