ОПИСАНИЕ
TC55257DPI/DFIDFTIDTRI — это 262 144-битная статическая оперативная память (SRAM), организованная в виде 32 768 слов по 8 бит. Это устройство, изготовленное с использованием технологии CMOS Silicon Gate компании Toshiba, работает от одного источника питания с напряжением 5 В и напряжением 10 %. Усовершенствованная схемотехника обеспечивает как высокую скорость, так и низкую мощность при рабочем токе 5 мА/МГц (типичное) и минимальном времени цикла 70 нс. Он автоматически переключается в режим пониженного энергопотребления при токе ожидания 0,3 мкА (тип.), когда устанавливается высокий уровень разрешения микросхемы (CE). Имеется два входа управления. CE используется для выбора устройства и управления сохранением данных, а разрешение вывода (OE) обеспечивает быстрый доступ к памяти. Это устройство хорошо подходит для различных приложений микропроцессорных систем, где требуется высокая скорость, низкое энергопотребление и резервное питание от батареи. А благодаря гарантированному рабочему диапазону от - 40° до 85 ℃ TC55257DPIDFIDFTIDTRI можно использовать в средах с экстремальными температурными условиями. TC55257DPIDFIDFTIDTRI доступен в пластиковом 28-контактном двухлинейном корпусе (DIP), пластиковом 28-контактном корпусе с малым контуром (SOP) и пластиковом 28-контактном тонком и маленьком корпусе с нормальной и обратной распиновкой (TSOP).
ФУНКЦИИ
● Низкое рассеивание мощности
Рабочая: 27,5 мВт/МГц (типичная)
● Ток в режиме ожидания 2 мкА (максимум) при Ta = 25 ℃.
● Одиночное напряжение питания 5 В–10 %.
● Функции отключения питания с помощью CE.
● Напряжение питания сохранения данных от 2 до 5,5 В.
● Прямая совместимость TTL для всех входов и выходов.
● Широкий диапазон рабочих температур от - 40° до 85 ℃.