● ПОТЕРИ ВЫКЛЮЧЕНИЯ ВКЛЮЧАЮТ ХВОСТОВОЙ ТОК.
● ПОТЕРИ ВКЛЮЧАЮТ ЭНЕРГИЮ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ДИОДОВ.
● ВЫСОКАЯ ТОКОВАЯ СПОСОБНОСТЬ
● ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА ДО 50 КГЦ
● ОЧЕНЬ МЯГКИЙ АНТИПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ ДИОД С УЛЬТРАБЫСТРЫМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ.
● НИЖНЕЕ СООТНОШЕНИЕ КРЕДИТ/CIES
● ПРОДУКЦИЯ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ С БОЛЕЕ ТОЧНЫМ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ ПАРАМЕТРОВ
ОПИСАНИЕ
Используя новейшую технологию высокого напряжения, основанную на запатентованной схеме расположения полос, компания STMicroelectronics разработала усовершенствованное семейство IGBT Power MESHTM IGBT с выдающимися характеристиками.
Суффикс «V» обозначает семейство, оптимизированное для высокочастотных применений.
ПРИЛОЖЕНИЯ
● ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ИНВЕРТОРЫ
● SMPS и PFC И В ТОПОЛОГИЯХ С ЖЕСТКИМ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕМ, И В РЕЗОНАНСНЫХ ТОПОЛОГИЯХ.
● ИБП
● ВОДИТЕЛИ МОТОРОВ